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RD3L220SNTL1-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

RD3L220SNTL1-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为50安培, 漏源击穿电压60伏, 导通电阻低至15毫欧, 栅源电压耐受值为20伏。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 它适用于高性能服务器电源、储能系统逆变端及大功率直流电机驱动等场景。 其电气特性有助于优化电路能效, 满足高功率密度电子设备对稳定运行与热管理的严格要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

47

货期

现货

RD3L220SNTL1-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存47

RD3L220SNTL1-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为50安培, 漏源击穿电压60伏, 导通电阻低至15毫欧, 栅源电压耐受值为20伏。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 它适用于高性能服务器电源、储能系统逆变端及大功率直流电机驱动等场景。 其电气特性有助于优化电路能效, 满足高功率密度电子设备对稳定运行与热管理的严格要求。

RD3L220SNTL1-HXY特性

暂无产品特性。

RD3L220SNTL1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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