RD3L220SNTL1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RD3L220SNTL1-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为50安培, 漏源击穿电压60伏, 导通电阻低至15毫欧, 栅源电压耐受值为20伏。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 它适用于高性能服务器电源、储能系统逆变端及大功率直流电机驱动等场景。 其电气特性有助于优化电路能效, 满足高功率密度电子设备对稳定运行与热管理的严格要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
47
货期
现货
RD3L220SNTL1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
RD3L220SNTL1-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为50安培, 漏源击穿电压60伏, 导通电阻低至15毫欧, 栅源电压耐受值为20伏。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 它适用于高性能服务器电源、储能系统逆变端及大功率直流电机驱动等场景。 其电气特性有助于优化电路能效, 满足高功率密度电子设备对稳定运行与热管理的严格要求。
RD3L220SNTL1-HXY特性
暂无产品特性。
RD3L220SNTL1-HXY应用领域
暂无应用领域。
