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RD3L220SNFRATL-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

RD3L220SNFRATL-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为50A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻15毫欧, 栅源电压耐受20V。 其参数特性适用于中等功率开关应用, 如直流电源转换、便携式设备供电模块及照明驱动电路。 器件在指定电压下提供稳定的电流承载能力, 导通电阻数值决定了其在特定负载下的功耗表现, 适合对空间与能效有平衡需求的电子系统设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

RD3L220SNFRATL-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

RD3L220SNFRATL-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为50A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻15毫欧, 栅源电压耐受20V。 其参数特性适用于中等功率开关应用, 如直流电源转换、便携式设备供电模块及照明驱动电路。 器件在指定电压下提供稳定的电流承载能力, 导通电阻数值决定了其在特定负载下的功耗表现, 适合对空间与能效有平衡需求的电子系统设计。

RD3L220SNFRATL-HXY特性

暂无产品特性。

RD3L220SNFRATL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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