RD3L220SNFRATL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RD3L220SNFRATL-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为50A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻15毫欧, 栅源电压耐受20V。 其参数特性适用于中等功率开关应用, 如直流电源转换、便携式设备供电模块及照明驱动电路。 器件在指定电压下提供稳定的电流承载能力, 导通电阻数值决定了其在特定负载下的功耗表现, 适合对空间与能效有平衡需求的电子系统设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
RD3L220SNFRATL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
RD3L220SNFRATL-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为50A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻15毫欧, 栅源电压耐受20V。 其参数特性适用于中等功率开关应用, 如直流电源转换、便携式设备供电模块及照明驱动电路。 器件在指定电压下提供稳定的电流承载能力, 导通电阻数值决定了其在特定负载下的功耗表现, 适合对空间与能效有平衡需求的电子系统设计。
RD3L220SNFRATL-HXY特性
暂无产品特性。
RD3L220SNFRATL-HXY应用领域
暂无应用领域。
