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RD3L08CBLHRBTL-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

RD3L08CBLHRBTL-HXY

这款N沟道场效应管专为高功率密度应用设计, 核心参数包括60V耐压值与120A连续漏极电流, 配合4.5mΩ的超低导通电阻, 显著降低大电流工况下的能量损耗与热积累。 20V栅源极电压规格确保了驱动电路的灵活性与器件开关的可靠性。 其低导通损耗特性使其尤其适合应用于高效能DC-DC转换器、无刷电机驱动模块及大功率电源管理系统, 能够在紧凑空间内实现稳定高效的功率切换与负载控制。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

49

货期

现货

RD3L08CBLHRBTL-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存49

RD3L08CBLHRBTL-HXY概述

这款N沟道场效应管专为高功率密度应用设计, 核心参数包括60V耐压值与120A连续漏极电流, 配合4.5mΩ的超低导通电阻, 显著降低大电流工况下的能量损耗与热积累。 20V栅源极电压规格确保了驱动电路的灵活性与器件开关的可靠性。 其低导通损耗特性使其尤其适合应用于高效能DC-DC转换器、无刷电机驱动模块及大功率电源管理系统, 能够在紧凑空间内实现稳定高效的功率切换与负载控制。

RD3L08CBLHRBTL-HXY特性

暂无产品特性。

RD3L08CBLHRBTL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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