RD3L08CBLHRBTL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RD3L08CBLHRBTL-HXY
这款N沟道场效应管专为高功率密度应用设计, 核心参数包括60V耐压值与120A连续漏极电流, 配合4.5mΩ的超低导通电阻, 显著降低大电流工况下的能量损耗与热积累。 20V栅源极电压规格确保了驱动电路的灵活性与器件开关的可靠性。 其低导通损耗特性使其尤其适合应用于高效能DC-DC转换器、无刷电机驱动模块及大功率电源管理系统, 能够在紧凑空间内实现稳定高效的功率切换与负载控制。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
49
货期
现货
RD3L08CBLHRBTL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
RD3L08CBLHRBTL-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高功率密度应用设计, 核心参数包括60V耐压值与120A连续漏极电流, 配合4.5mΩ的超低导通电阻, 显著降低大电流工况下的能量损耗与热积累。 20V栅源极电压规格确保了驱动电路的灵活性与器件开关的可靠性。 其低导通损耗特性使其尤其适合应用于高效能DC-DC转换器、无刷电机驱动模块及大功率电源管理系统, 能够在紧凑空间内实现稳定高效的功率切换与负载控制。
RD3L08CBLHRBTL-HXY特性
暂无产品特性。
RD3L08CBLHRBTL-HXY应用领域
暂无应用领域。
