RD3L08CBKHRBTL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RD3L08CBKHRBTL-HXY
这款N沟道场效应管具备60V的漏源击穿电压, 最大连续漏极电流可达120A。 其核心优势在于极低的导通电阻, 在4.5V栅极驱动下仅为4.5mΩ, 这意味着在导通状态下功耗极低, 能有效减少发热。 同时, 它支持±20V的栅源电压, 为驱动电路设计提供了宽裕的安全余量。 在实际应用中, 它常被用作高效的电子开关。 例如在高性能电源模块中, 它能精准控制大电流的通断, 确保电力转换效率; 在各类智能设备的电机驱动电路中, 它负责快速响应控制信号, 为设备提供稳定动力; 在储能系统的充放电管理环节, 它能承受大电流冲击, 保障系统安全运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
49
货期
现货
RD3L08CBKHRBTL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
RD3L08CBKHRBTL-HXY概述
这款N沟道场效应管具备60V的漏源击穿电压, 最大连续漏极电流可达120A。 其核心优势在于极低的导通电阻, 在4.5V栅极驱动下仅为4.5mΩ, 这意味着在导通状态下功耗极低, 能有效减少发热。 同时, 它支持±20V的栅源电压, 为驱动电路设计提供了宽裕的安全余量。 在实际应用中, 它常被用作高效的电子开关。 例如在高性能电源模块中, 它能精准控制大电流的通断, 确保电力转换效率; 在各类智能设备的电机驱动电路中, 它负责快速响应控制信号, 为设备提供稳定动力; 在储能系统的充放电管理环节, 它能承受大电流冲击, 保障系统安全运行。
RD3L08CBKHRBTL-HXY特性
暂无产品特性。
RD3L08CBKHRBTL-HXY应用领域
暂无应用领域。
