库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
RD3L08CBKHRBTL-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

RD3L08CBKHRBTL-HXY

这款N沟道场效应管具备60V的漏源击穿电压, 最大连续漏极电流可达120A。 其核心优势在于极低的导通电阻, 在4.5V栅极驱动下仅为4.5mΩ, 这意味着在导通状态下功耗极低, 能有效减少发热。 同时, 它支持±20V的栅源电压, 为驱动电路设计提供了宽裕的安全余量。 在实际应用中, 它常被用作高效的电子开关。 例如在高性能电源模块中, 它能精准控制大电流的通断, 确保电力转换效率; 在各类智能设备的电机驱动电路中, 它负责快速响应控制信号, 为设备提供稳定动力; 在储能系统的充放电管理环节, 它能承受大电流冲击, 保障系统安全运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

49

货期

现货

RD3L08CBKHRBTL-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存49

RD3L08CBKHRBTL-HXY概述

这款N沟道场效应管具备60V的漏源击穿电压, 最大连续漏极电流可达120A。 其核心优势在于极低的导通电阻, 在4.5V栅极驱动下仅为4.5mΩ, 这意味着在导通状态下功耗极低, 能有效减少发热。 同时, 它支持±20V的栅源电压, 为驱动电路设计提供了宽裕的安全余量。 在实际应用中, 它常被用作高效的电子开关。 例如在高性能电源模块中, 它能精准控制大电流的通断, 确保电力转换效率; 在各类智能设备的电机驱动电路中, 它负责快速响应控制信号, 为设备提供稳定动力; 在储能系统的充放电管理环节, 它能承受大电流冲击, 保障系统安全运行。

RD3L08CBKHRBTL-HXY特性

暂无产品特性。

RD3L08CBKHRBTL-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件