RD3L08BGNTL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RD3L08BGNTL-HXY
这款N沟道场效应管具备60V的耐压值与120A的大电流处理能力, 配合4.5mΩ的低导通电阻, 能有效降低电路运行时的热损耗。 20V的栅源极电压规格为驱动电路设计提供了充足的余量, 确保器件在高频开关状态下依然保持优异的稳定性。 凭借其出色的电气特性, 该元件常被应用于大功率DC-DC变换器、逆变器及电机调速模块中, 能够胜任高负载环境下的电能转换任务, 满足对功率密度和效率有严格要求的电子设备设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
49
货期
现货
RD3L08BGNTL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
RD3L08BGNTL-HXY概述
这款N沟道场效应管具备60V的耐压值与120A的大电流处理能力, 配合4.5mΩ的低导通电阻, 能有效降低电路运行时的热损耗。 20V的栅源极电压规格为驱动电路设计提供了充足的余量, 确保器件在高频开关状态下依然保持优异的稳定性。 凭借其出色的电气特性, 该元件常被应用于大功率DC-DC变换器、逆变器及电机调速模块中, 能够胜任高负载环境下的电能转换任务, 满足对功率密度和效率有严格要求的电子设备设计需求。
RD3L08BGNTL-HXY特性
暂无产品特性。
RD3L08BGNTL-HXY应用领域
暂无应用领域。
