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RD3L04BBKHRBTL-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

RD3L04BBKHRBTL-HXY

该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V, 连续漏极电流达50A, 导通电阻典型值11毫欧。 低导通电阻特性显著降低功率损耗, 提升系统能效。 适用于大电流开关应用, 如服务器电源、储能设备及高性能电机驱动电路, 满足对热管理及快速响应有严格要求的功率控制场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

RD3L04BBKHRBTL-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

RD3L04BBKHRBTL-HXY概述

该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V, 连续漏极电流达50A, 导通电阻典型值11毫欧。 低导通电阻特性显著降低功率损耗, 提升系统能效。 适用于大电流开关应用, 如服务器电源、储能设备及高性能电机驱动电路, 满足对热管理及快速响应有严格要求的功率控制场景。

RD3L04BBKHRBTL-HXY特性

暂无产品特性。

RD3L04BBKHRBTL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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