RD3L04BBKHRBTL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RD3L04BBKHRBTL-HXY
该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V, 连续漏极电流达50A, 导通电阻典型值11毫欧。 低导通电阻特性显著降低功率损耗, 提升系统能效。 适用于大电流开关应用, 如服务器电源、储能设备及高性能电机驱动电路, 满足对热管理及快速响应有严格要求的功率控制场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
RD3L04BBKHRBTL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
RD3L04BBKHRBTL-HXY概述
该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V, 连续漏极电流达50A, 导通电阻典型值11毫欧。 低导通电阻特性显著降低功率损耗, 提升系统能效。 适用于大电流开关应用, 如服务器电源、储能设备及高性能电机驱动电路, 满足对热管理及快速响应有严格要求的功率控制场景。
RD3L04BBKHRBTL-HXY特性
暂无产品特性。
RD3L04BBKHRBTL-HXY应用领域
暂无应用领域。
