RD3L03BATTL1-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）具有60V的漏源击穿电压（VDSS）和30A的最大漏极电流（ID）， 适用于中高功率应用场景。 导通电阻（RDON）低至29毫欧， 有效降低导通损耗， 提高系统效率。 器件采用成熟工艺制造， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适用于电源管理、开关电路、负载控制及便携式设备等各类通用电子应用。 其封装形式便于安装与散热， 可满足多种电路设计需求。