RD3G07BATTL1
自营可供
IC
TO-252
RD3G07BATTL1
场效应管(MOSFET) 101W 40V 70A 1个P沟道
品牌
ROHM
封装
TO-252
交期
现货
批次
26+
RD3G07BATTL1参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.1mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 5.55nF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 788 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 101W |
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V |
| 类型 | P沟道 |
RD3G07BATTL1概述
场效应管(MOSFET) 101W 40V 70A 1个P沟道