RCS023N10BQ
IC
TO-247
可供量大可议
RCS023N10BQ
N沟道 Super Trench FET 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：416W 导通电阻(RDS(on)Max@Vgs, Id)：2.3mΩ@10V, 50A
品牌
RealChip
封装
TO-247
库存
105
货期
现货
RCS023N10BQ参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | RealChip(正芯半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 105 |
RCS023N10BQ概述
N沟道 Super Trench FET 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：416W 导通电阻(RDS(on)Max@Vgs, Id)：2.3mΩ@10V, 50A
RCS023N10BQ特性
暂无产品特性。
RCS023N10BQ应用领域
暂无应用领域。