RCQ36N25
IC
PDFN3x3-8
可供量大可议
RCQ36N25
N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：44.6W 导通电阻(RDS(on)Max@Vgs, Id)：28mΩ@10V, 15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA
品牌
RealChip
封装
PDFN3x3-8
库存
3,610
货期
现货
RCQ36N25参数
| 封装 | PDFN3x3-8 |
|---|---|
| 品牌 | RealChip(正芯半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3610 |
RCQ36N25概述
N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：44.6W 导通电阻(RDS(on)Max@Vgs, Id)：28mΩ@10V, 15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA
RCQ36N25特性
暂无产品特性。
RCQ36N25应用领域
暂无应用领域。