RCQ3310D
IC
PDFN-8(3x3)
可供量大可议
RCQ3310D
N+N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：42A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：12mΩ@10V, 15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA
品牌
RealChip
封装
PDFN-8(3x3)
库存
1,775
货期
现货
RCQ3310D参数
| 封装 | PDFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | RealChip(正芯半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1775 |
RCQ3310D概述
N+N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：42A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：12mΩ@10V, 15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA
RCQ3310D特性
暂无产品特性。
RCQ3310D应用领域
暂无应用领域。