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DFN1308-5L

可供量大可议

该静电和浪涌保护器件采用单向设计, 具备4A的峰值脉冲电流(IPP)能力, 可有效吸收瞬态电压冲击。 其反向工作电压为5V(VRWM), 确保在正常工作条件下稳定运行。 器件集成4个通道, 适用于多线路保护场景, 0.4pF的低结电容(CJ)有助于减少信号失真, 保持高频信号完整性。 该产品适用于通信接口、便携式电子设备及敏感电路的防护, 提供可靠的电气保护并维持系统稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1308-5L

库存

106

货期

现货

参数

封装DFN1308-5L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存106

概述

该静电和浪涌保护器件采用单向设计, 具备4A的峰值脉冲电流(IPP)能力, 可有效吸收瞬态电压冲击。 其反向工作电压为5V(VRWM), 确保在正常工作条件下稳定运行。 器件集成4个通道, 适用于多线路保护场景, 0.4pF的低结电容(CJ)有助于减少信号失真, 保持高频信号完整性。 该产品适用于通信接口、便携式电子设备及敏感电路的防护, 提供可靠的电气保护并维持系统稳定性。

特性

暂无产品特性。

应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

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