IC
DFN1308-5L
可供量大可议
该静电和浪涌保护器件采用单向设计, 具备4A的峰值脉冲电流(IPP)能力, 可有效吸收瞬态电压冲击。 其反向工作电压为5V(VRWM), 确保在正常工作条件下稳定运行。 器件集成4个通道, 适用于多线路保护场景, 0.4pF的低结电容(CJ)有助于减少信号失真, 保持高频信号完整性。 该产品适用于通信接口、便携式电子设备及敏感电路的防护, 提供可靠的电气保护并维持系统稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1308-5L
库存
106
货期
现货
参数
| 封装 | DFN1308-5L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 106 |
概述
该静电和浪涌保护器件采用单向设计, 具备4A的峰值脉冲电流(IPP)能力, 可有效吸收瞬态电压冲击。 其反向工作电压为5V(VRWM), 确保在正常工作条件下稳定运行。 器件集成4个通道, 适用于多线路保护场景, 0.4pF的低结电容(CJ)有助于减少信号失真, 保持高频信号完整性。 该产品适用于通信接口、便携式电子设备及敏感电路的防护, 提供可靠的电气保护并维持系统稳定性。
特性
暂无产品特性。
应用领域
暂无应用领域。
