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RCLAMP3391ZCTFT-HXY
IC

DFN0603-2L

可供量大可议

RCLAMP3391ZCTFT-HXY

此款静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD保护系列, 设计用于精密电子设备的信号线保护。 其IPP(峰值脉冲电流)为4安培, 确保在遇到较大瞬态电流时仍能稳定工作; VRWM(最大反向工作电压)为3.3伏特, 适用于低电压应用场景, 提供有效防护而不影响电路正常运作。 电容CJ仅为0.55皮法, 对信号完整性影响极小, 特别适合高速数据传输线路。 作为1通道Bi双向类型, 它能够保护单一线路免受双向瞬态电压威胁, 同时保持极低的插入损耗和出色的响应速度, 确保被保护电路的安全与可靠。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN0603-2L

库存

5

货期

现货

RCLAMP3391ZCTFT-HXY参数

封装DFN0603-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存5

RCLAMP3391ZCTFT-HXY概述

此款静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD保护系列, 设计用于精密电子设备的信号线保护。 其IPP(峰值脉冲电流)为4安培, 确保在遇到较大瞬态电流时仍能稳定工作; VRWM(最大反向工作电压)为3.3伏特, 适用于低电压应用场景, 提供有效防护而不影响电路正常运作。 电容CJ仅为0.55皮法, 对信号完整性影响极小, 特别适合高速数据传输线路。 作为1通道Bi双向类型, 它能够保护单一线路免受双向瞬态电压威胁, 同时保持极低的插入损耗和出色的响应速度, 确保被保护电路的安全与可靠。

RCLAMP3391ZCTFT-HXY特性

暂无产品特性。

RCLAMP3391ZCTFT-HXY应用领域

暂无应用领域。

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