RCLAMP3391ZCTFT-HXY
IC
DFN0603-2L
可供量大可议
RCLAMP3391ZCTFT-HXY
此款静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD保护系列, 设计用于精密电子设备的信号线保护。 其IPP(峰值脉冲电流)为4安培, 确保在遇到较大瞬态电流时仍能稳定工作; VRWM(最大反向工作电压)为3.3伏特, 适用于低电压应用场景, 提供有效防护而不影响电路正常运作。 电容CJ仅为0.55皮法, 对信号完整性影响极小, 特别适合高速数据传输线路。 作为1通道Bi双向类型, 它能够保护单一线路免受双向瞬态电压威胁, 同时保持极低的插入损耗和出色的响应速度, 确保被保护电路的安全与可靠。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN0603-2L
库存
5
货期
现货
RCLAMP3391ZCTFT-HXY参数
| 封装 | DFN0603-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
RCLAMP3391ZCTFT-HXY概述
此款静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD保护系列, 设计用于精密电子设备的信号线保护。 其IPP(峰值脉冲电流)为4安培, 确保在遇到较大瞬态电流时仍能稳定工作; VRWM(最大反向工作电压)为3.3伏特, 适用于低电压应用场景, 提供有效防护而不影响电路正常运作。 电容CJ仅为0.55皮法, 对信号完整性影响极小, 特别适合高速数据传输线路。 作为1通道Bi双向类型, 它能够保护单一线路免受双向瞬态电压威胁, 同时保持极低的插入损耗和出色的响应速度, 确保被保护电路的安全与可靠。
RCLAMP3391ZCTFT-HXY特性
暂无产品特性。
RCLAMP3391ZCTFT-HXY应用领域
暂无应用领域。
