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SLP3020-10

可供量大可议

RailClamp TVS二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计, 使其免受由ESD(静电放电)、CDE(电缆放电事件)和EFT(电快速瞬变)引起的过电压影响。 独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管集成在单个封装中。 RClamp2574N旨在替代多达两个用于板级GbE保护的元件。 每个器件设计用于保护两对线路。 这通过将走线穿过器件来实现。 以这种方式连接时, 该器件能够承受高水平的浪涌电流(40A, 8/20μs), 同时保持低于5pF的低负载电容。 高浪涌能力意味着它可用于高风险环境中的应用, 如千兆以太网、电信线路和LVDS接口。 RClamp2574N采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。 与硅雪崩二极管工艺相比, EPD工艺提供低关断电压, 同时显著降低漏电流和电容。 它具有2.5伏的真实工作电压, 可提供卓越的保护。 RClamp2574N采用10引脚SLP3020N10封装。 尺寸为3.0x2.0x0.60mm。 引脚采用无铅NiPdAu镀层。

品牌

SEMTECH

封装

SLP3020-10

库存

252

货期

现货

参数

封装SLP3020-10
品牌SEMTECH
MOQ / SPQ1 / 1
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存252

概述

RailClamp TVS二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计, 使其免受由ESD(静电放电)、CDE(电缆放电事件)和EFT(电快速瞬变)引起的过电压影响。 独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管集成在单个封装中。 RClamp2574N旨在替代多达两个用于板级GbE保护的元件。 每个器件设计用于保护两对线路。 这通过将走线穿过器件来实现。 以这种方式连接时, 该器件能够承受高水平的浪涌电流(40A, 8/20μs), 同时保持低于5pF的低负载电容。 高浪涌能力意味着它可用于高风险环境中的应用, 如千兆以太网、电信线路和LVDS接口。 RClamp2574N采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。 与硅雪崩二极管工艺相比, EPD工艺提供低关断电压, 同时显著降低漏电流和电容。 它具有2.5伏的真实工作电压, 可提供卓越的保护。 RClamp2574N采用10引脚SLP3020N10封装。 尺寸为3.0x2.0x0.60mm。 引脚采用无铅NiPdAu镀层。

特性

暂无产品特性。

应用领域

暂无应用领域。

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