RCLAMP0564P-N
IC
DFN2010
可供量大可议
RCLAMP0564P-N
特性：60瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.3pF 典型值， I/O 到 I/O）。 应用：USB 3.0/3.1， Type C。 HDMI 1.4/2.0， Display Port 1.3
品牌
BORN
封装
DFN2010
库存
5,940
货期
现货
RCLAMP0564P-N参数
| 封装 | DFN2010 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 5940 |
RCLAMP0564P-N概述
特性：60瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.3pF 典型值， I/O 到 I/O）。 应用：USB 3.0/3.1， Type C。 HDMI 1.4/2.0， Display Port 1.3
RCLAMP0564P-N特性
暂无产品特性。
RCLAMP0564P-N应用领域
暂无应用领域。