RCLAMP0521P(UMW)
IC
DFN1006-2
可供量大可议
RCLAMP0521P(UMW)
特性：双向TVS二极管， 采用领先的单片硅技术， 响应时间快， ESD钳位电压低。 超小封装：1.0×0.6×0.5mm。 超低电容：典型值0.3pF。 超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 应用：手机及配件。 显示端口
品牌
UMW
封装
DFN1006-2
库存
2,100
货期
现货
RCLAMP0521P(UMW)参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2100 |
RCLAMP0521P(UMW)概述
特性：双向TVS二极管， 采用领先的单片硅技术， 响应时间快， ESD钳位电压低。 超小封装：1.0×0.6×0.5mm。 超低电容：典型值0.3pF。 超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 应用：手机及配件。 显示端口
RCLAMP0521P(UMW)特性
暂无产品特性。
RCLAMP0521P(UMW)应用领域
暂无应用领域。