RCK7106
IC
SOP-8
可供量大可议
RCK7106
特性：BVdss = 60V。 ID = 12A。 RDS(ON) Typ. (at VGS = 4.5V) = 12mΩ。 低导通电阻。 高转换效率。 快速开关特性
品牌
RealChip
封装
SOP-8
库存
50
货期
现货
RCK7106参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | RealChip(正芯半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 162pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | RCK7106 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000203 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 2.25nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:8A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
RCK7106概述
分裂栅沟槽MOSFET技术 - 出色的散热封装 - 高密度单元设计， 实现低 RDS(on)
RCK7106特性
- 漏源击穿电压(BVdss) = 60 V
- 漏极电流(ID) = 12 A
- 导通电阻(RDS(ON))典型值(栅源电压VGS = 4.5 V时) = 12 mΩ
- 低导通电阻
- 高转换效率
- 快速开关特性
RCK7106应用领域
- 直流-直流转换器-电源管理功能-工业和电机驱动应用