RCF12N65
IC
TO-220F
可供量大可议
RCF12N65
N-Channel Enhanced VDMOSFET， 通过自对准平面技术获得， 可降低传导损耗， 改善开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 封装形式为TO-220F， 符合RoHS标准。
Brand
RealChip
Package
TO-220F
Stock
121
货期
现货
RCF12N65Parameters
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | RealChip(正芯半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 121 |
RCF12N65概述
N-Channel Enhanced VDMOSFET， 通过自对准平面技术获得， 可降低传导损耗， 改善开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 封装形式为TO-220F， 符合RoHS标准。
RCF12N65特性
暂无产品特性。
RCF12N65应用领域
暂无应用领域。