RCD2N60

N- 沟道增强型 VDMOSFET， 通过自对准平面技术获得， 可降低传导损耗， 提高开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 封装形式为 TO-252， 符合 RoHS 标准。