RC65D600C
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
RC65D600C
氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：600mΩ@10V, 1A; VGS:±20 Qg:8nC
品牌
RealChip
封装
DFN-8(5x6)
库存
158
货期
现货
RC65D600C参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | RealChip(正芯半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 158 |
RC65D600C概述
氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：600mΩ@10V, 1A; VGS:±20 Qg:8nC
RC65D600C特性
暂无产品特性。
RC65D600C应用领域
暂无应用领域。