RC65D600A
IC
TO-220F
可供量大可议
RC65D600A
氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：600mΩ@10V, 1A; VGS:±20 Qg:8nC
品牌
RealChip
封装
TO-220F
库存
95
货期
现货
RC65D600A参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | RealChip(正芯半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
RC65D600A概述
氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：600mΩ@10V, 1A; VGS:±20 Qg:8nC
RC65D600A特性
暂无产品特性。
RC65D600A应用领域
暂无应用领域。