RC65D160A
IC
TO-220F
可供量大可议
RC65D160A
650V, 160mΩ氮化镓(GaN)FET是常开器件。 GaN FET通过较低的栅极电荷、更快的开关速度和较低的动态导通电阻提供更高的效率， 比传统硅(Si)器件具有显著优势。
品牌
RealChip
封装
TO-220F
库存
4,464
货期
现货
RC65D160A参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | RealChip(正芯半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 4464 |
RC65D160A概述
650V, 160mΩ氮化镓(GaN)FET是常开器件。 GaN FET通过较低的栅极电荷、更快的开关速度和较低的动态导通电阻提供更高的效率， 比传统硅(Si)器件具有显著优势。
RC65D160A特性
暂无产品特性。
RC65D160A应用领域
暂无应用领域。