RC65D110D
IC
DFN-8(8x8)
可供量大可议
RC65D110D
氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：110mΩ@10V, 1A; VGS:±20 Qg:6.9nC
品牌
RealChip
封装
DFN-8(8x8)
库存
47
货期
现货
RC65D110D参数
| 封装 | DFN-8(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | RealChip(正芯半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
RC65D110D概述
氮化镓GaN场效应管：漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：110mΩ@10V, 1A; VGS:±20 Qg:6.9nC
RC65D110D特性
暂无产品特性。
RC65D110D应用领域
暂无应用领域。