RC3701T

N+P 双沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。 这种先进技术经过专门设计， 可最大限度地降低导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用。