RC30N06
IC
TO-252
可供量大可议
RC30N06
N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：33mΩ@10V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA
品牌
RealChip
封装
TO-252
库存
450
货期
现货
RC30N06参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | RealChip(正芯半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 450 |
RC30N06概述
N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：33mΩ@10V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA
RC30N06特性
暂无产品特性。
RC30N06应用领域
暂无应用领域。