RC20N04
IC
TO-252
可供量大可议
RC20N04
N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：40mΩ@10V, 4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
品牌
RealChip
封装
TO-252
库存
45
货期
现货
RC20N04参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | RealChip(正芯半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
RC20N04概述
N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：40mΩ@10V, 4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
RC20N04特性
暂无产品特性。
RC20N04应用领域
暂无应用领域。