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RBR5LAM40ATR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RBR5LAM40ATR-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向电压为40V。 其正向压降低至0.55V, 有助于减少导通损耗, 提升系统效率; 反向漏电流为500μA, 在正常工作条件下保持较低的静态功耗。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

90

货期

现货

RBR5LAM40ATR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存90

RBR5LAM40ATR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向电压为40V。 其正向压降低至0.55V, 有助于减少导通损耗, 提升系统效率; 反向漏电流为500μA, 在正常工作条件下保持较低的静态功耗。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

RBR5LAM40ATR-HXY特性

暂无产品特性。

RBR5LAM40ATR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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