RBR5LAM40ATR-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
RBR5LAM40ATR-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向电压为40V。 其正向压降低至0.55V, 有助于减少导通损耗, 提升系统效率; 反向漏电流为500μA, 在正常工作条件下保持较低的静态功耗。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
90
货期
现货
RBR5LAM40ATR-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 90 |
RBR5LAM40ATR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为5A, 最大反向电压为40V。 其正向压降低至0.55V, 有助于减少导通损耗, 提升系统效率; 反向漏电流为500μA, 在正常工作条件下保持较低的静态功耗。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。
RBR5LAM40ATR-HXY特性
暂无产品特性。
RBR5LAM40ATR-HXY应用领域
暂无应用领域。
