RBR5L40ADDTE25-HXY
IC
SMA
可供量大可议
RBR5L40ADDTE25-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有5A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 在正常工作条件下保持较低水平。 器件可承受高达150A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有一定要求的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
292
货期
现货
RBR5L40ADDTE25-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 292 |
RBR5L40ADDTE25-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有5A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 在正常工作条件下保持较低水平。 器件可承受高达150A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有一定要求的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。
RBR5L40ADDTE25-HXY特性
暂无产品特性。
RBR5L40ADDTE25-HXY应用领域
暂无应用领域。
