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RBR3MM60ATFTR-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

RBR3MM60ATFTR-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在60V反向偏置下, 漏电流不超过100μA。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的整流、续流以及电源反接保护等电路场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

115

货期

现货

RBR3MM60ATFTR-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存115

RBR3MM60ATFTR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在60V反向偏置下, 漏电流不超过100μA。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的整流、续流以及电源反接保护等电路场景。

RBR3MM60ATFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RBR3MM60ATFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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