RBR3MM60ATFTR-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
RBR3MM60ATFTR-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在60V反向偏置下, 漏电流不超过100μA。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的整流、续流以及电源反接保护等电路场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
115
货期
现货
RBR3MM60ATFTR-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 115 |
RBR3MM60ATFTR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在60V反向偏置下, 漏电流不超过100μA。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的整流、续流以及电源反接保护等电路场景。
RBR3MM60ATFTR-HXY特性
暂无产品特性。
RBR3MM60ATFTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
