RBR3MM40BTFTR-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
RBR3MM40BTFTR-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断性能。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、电池保护电路及各类对效率和响应速度有要求的电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
100
货期
现货
RBR3MM40BTFTR-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 100 |
RBR3MM40BTFTR-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断性能。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、电池保护电路及各类对效率和响应速度有要求的电子系统中。
RBR3MM40BTFTR-HXY特性
暂无产品特性。
RBR3MM40BTFTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
