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RBR3MM40BTFTR-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

RBR3MM40BTFTR-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断性能。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、电池保护电路及各类对效率和响应速度有要求的电子系统中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

100

货期

现货

RBR3MM40BTFTR-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存100

RBR3MM40BTFTR-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向重复峰值电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断性能。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、电池保护电路及各类对效率和响应速度有要求的电子系统中。

RBR3MM40BTFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RBR3MM40BTFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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