RBR3MM40ATFTR-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
RBR3MM40ATFTR-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)在额定条件下不超过100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、极性保护及高频开关电路等场景。
Brand
HXY MOSFET
Package
SOD-123FL
Stock
105
货期
现货
RBR3MM40ATFTR-HXYParameters
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 105 |
RBR3MM40ATFTR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)在额定条件下不超过100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、极性保护及高频开关电路等场景。
RBR3MM40ATFTR-HXY特性
暂无产品特性。
RBR3MM40ATFTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
