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RBR3MM40ATFTR-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

RBR3MM40ATFTR-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)在额定条件下不超过100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、极性保护及高频开关电路等场景。

Brand

HXY MOSFET

Package

SOD-123FL

Stock

105

货期

现货

RBR3MM40ATFTR-HXYParameters

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存105

RBR3MM40ATFTR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)在额定条件下不超过100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、极性保护及高频开关电路等场景。

RBR3MM40ATFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RBR3MM40ATFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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