RBR3LAM60ATFTR-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
RBR3LAM60ATFTR-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于电源整流、极性保护、高频开关以及对效率和热性能有要求的各类电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
185
货期
现货
RBR3LAM60ATFTR-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RBR3LAM60ATFTR-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于电源整流、极性保护、高频开关以及对效率和热性能有要求的各类电子电路中。
RBR3LAM60ATFTR-HXY特性
暂无产品特性。
RBR3LAM60ATFTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
