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RBR3LAM60ATFTR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RBR3LAM60ATFTR-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于电源整流、极性保护、高频开关以及对效率和热性能有要求的各类电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

185

货期

现货

RBR3LAM60ATFTR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RBR3LAM60ATFTR-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。 其正向压降为0.7V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于电源整流、极性保护、高频开关以及对效率和热性能有要求的各类电子电路中。

RBR3LAM60ATFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RBR3LAM60ATFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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