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RBR3LAM40CTR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RBR3LAM40CTR-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具备3A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)最大为500μA, 表现出良好的反向阻断能力。 该器件适用于高频整流、低压电源转换、便携设备中的电源管理以及对效率和热性能敏感的电子电路, 能够有效支持系统在高频率或低电压条件下的稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

165

货期

现货

RBR3LAM40CTR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存165

RBR3LAM40CTR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具备3A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)最大为500μA, 表现出良好的反向阻断能力。 该器件适用于高频整流、低压电源转换、便携设备中的电源管理以及对效率和热性能敏感的电子电路, 能够有效支持系统在高频率或低电压条件下的稳定运行。

RBR3LAM40CTR-HXY特性

暂无产品特性。

RBR3LAM40CTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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