RBR3LAM40CTR-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
RBR3LAM40CTR-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具备3A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)最大为500μA, 表现出良好的反向阻断能力。 该器件适用于高频整流、低压电源转换、便携设备中的电源管理以及对效率和热性能敏感的电子电路, 能够有效支持系统在高频率或低电压条件下的稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
165
货期
现货
RBR3LAM40CTR-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 165 |
RBR3LAM40CTR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具备3A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)最大为500μA, 表现出良好的反向阻断能力。 该器件适用于高频整流、低压电源转换、便携设备中的电源管理以及对效率和热性能敏感的电子电路, 能够有效支持系统在高频率或低电压条件下的稳定运行。
RBR3LAM40CTR-HXY特性
暂无产品特性。
RBR3LAM40CTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
