RBR3LAM40CTFTR-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
RBR3LAM40CTFTR-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有3A的正向电流能力与40V的反向耐压。 其正向压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为500μA。 凭借较低的VF值和较快的开关特性, 适用于电源整流、低压输出转换、电池供电设备中的防反接保护以及各类对效率敏感的电子电路中, 能够维持较高的能量转换效率与运行稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
180
货期
现货
RBR3LAM40CTFTR-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
RBR3LAM40CTFTR-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有3A的正向电流能力与40V的反向耐压。 其正向压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为500μA。 凭借较低的VF值和较快的开关特性, 适用于电源整流、低压输出转换、电池供电设备中的防反接保护以及各类对效率敏感的电子电路中, 能够维持较高的能量转换效率与运行稳定性。
RBR3LAM40CTFTR-HXY特性
暂无产品特性。
RBR3LAM40CTFTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
