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RBR3LAM40CTFTR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RBR3LAM40CTFTR-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有3A的正向电流能力与40V的反向耐压。 其正向压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为500μA。 凭借较低的VF值和较快的开关特性, 适用于电源整流、低压输出转换、电池供电设备中的防反接保护以及各类对效率敏感的电子电路中, 能够维持较高的能量转换效率与运行稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

180

货期

现货

RBR3LAM40CTFTR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存180

RBR3LAM40CTFTR-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有3A的正向电流能力与40V的反向耐压。 其正向压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为500μA。 凭借较低的VF值和较快的开关特性, 适用于电源整流、低压输出转换、电池供电设备中的防反接保护以及各类对效率敏感的电子电路中, 能够维持较高的能量转换效率与运行稳定性。

RBR3LAM40CTFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RBR3LAM40CTFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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