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RBR3LAM40ATFTR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RBR3LAM40ATFTR-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 有助于在导通状态下减少能量损耗; 反向漏电流为500μA, 表现出合理的阻断特性。 由于肖特基势垒结构带来的快速恢复特性, 该器件适用于开关电源、直流-直流转换器、极性保护电路以及对效率和热性能有要求的电子系统中, 能够有效支持稳定可靠的整流与续流功能。

Brand

HXY MOSFET

Package

SMAF

Stock

515

货期

现货

RBR3LAM40ATFTR-HXYParameters

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存515

RBR3LAM40ATFTR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 有助于在导通状态下减少能量损耗; 反向漏电流为500μA, 表现出合理的阻断特性。 由于肖特基势垒结构带来的快速恢复特性, 该器件适用于开关电源、直流-直流转换器、极性保护电路以及对效率和热性能有要求的电子系统中, 能够有效支持稳定可靠的整流与续流功能。

RBR3LAM40ATFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RBR3LAM40ATFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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