RBR3LAM40ATFTR-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
RBR3LAM40ATFTR-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 有助于在导通状态下减少能量损耗; 反向漏电流为500μA, 表现出合理的阻断特性。 由于肖特基势垒结构带来的快速恢复特性, 该器件适用于开关电源、直流-直流转换器、极性保护电路以及对效率和热性能有要求的电子系统中, 能够有效支持稳定可靠的整流与续流功能。
Brand
HXY MOSFET
Package
SMAF
Stock
515
货期
现货
RBR3LAM40ATFTR-HXYParameters
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 515 |
RBR3LAM40ATFTR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 有助于在导通状态下减少能量损耗; 反向漏电流为500μA, 表现出合理的阻断特性。 由于肖特基势垒结构带来的快速恢复特性, 该器件适用于开关电源、直流-直流转换器、极性保护电路以及对效率和热性能有要求的电子系统中, 能够有效支持稳定可靠的整流与续流功能。
RBR3LAM40ATFTR-HXY特性
暂无产品特性。
RBR3LAM40ATFTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
