RBR3L60ADDTE25-HXY
IC
SMA
可供量大可议
RBR3L60ADDTE25-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为60V。 其正向压降为0.7V, 在导通状态下能量损耗较低; 反向漏电流为500μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于电源整流、极性保护以及高频开关等电路场合, 能够在有限空间内实现高效、稳定的运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
385
货期
现货
RBR3L60ADDTE25-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 385 |
RBR3L60ADDTE25-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为60V。 其正向压降为0.7V, 在导通状态下能量损耗较低; 反向漏电流为500μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于电源整流、极性保护以及高频开关等电路场合, 能够在有限空间内实现高效、稳定的运行。
RBR3L60ADDTE25-HXY特性
暂无产品特性。
RBR3L60ADDTE25-HXY应用领域
暂无应用领域。
