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RBR3L40CDDTE25-HXY
IC

SMA

可供量大可议

RBR3L40CDDTE25-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流为500μA。 器件具备70A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于电源整流、极性保护、续流路径以及高频开关等电路场合, 能够在兼顾效率与可靠性的基础上满足多种电子系统的设计需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

185

货期

现货

RBR3L40CDDTE25-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RBR3L40CDDTE25-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流为500μA。 器件具备70A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于电源整流、极性保护、续流路径以及高频开关等电路场合, 能够在兼顾效率与可靠性的基础上满足多种电子系统的设计需求。

RBR3L40CDDTE25-HXY特性

暂无产品特性。

RBR3L40CDDTE25-HXY应用领域

暂无应用领域。

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