RBR3L40CDDTE25-HXY
IC
SMA
可供量大可议
RBR3L40CDDTE25-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流为500μA。 器件具备70A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于电源整流、极性保护、续流路径以及高频开关等电路场合, 能够在兼顾效率与可靠性的基础上满足多种电子系统的设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
185
货期
现货
RBR3L40CDDTE25-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RBR3L40CDDTE25-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 反向漏电流为500μA。 器件具备70A的非重复峰值正向浪涌电流能力, 适用于电源整流、极性保护、续流路径以及高频开关等电路场合, 能够在兼顾效率与可靠性的基础上满足多种电子系统的设计需求。
RBR3L40CDDTE25-HXY特性
暂无产品特性。
RBR3L40CDDTE25-HXY应用领域
暂无应用领域。
