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RBR30T40ANZC9-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

RBR30T40ANZC9-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降典型值为0.65V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与续流场景。 共阴极结构便于电路布局, 有助于简化多路输出设计中的连接方式。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

48

货期

现货

RBR30T40ANZC9-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存48

RBR30T40ANZC9-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降典型值为0.65V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与续流场景。 共阴极结构便于电路布局, 有助于简化多路输出设计中的连接方式。

RBR30T40ANZC9-HXY特性

暂无产品特性。

RBR30T40ANZC9-HXY应用领域

暂无应用领域。

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