RBR30T40ANZC9-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
RBR30T40ANZC9-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降典型值为0.65V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与续流场景。 共阴极结构便于电路布局, 有助于简化多路输出设计中的连接方式。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
48
货期
现货
RBR30T40ANZC9-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
RBR30T40ANZC9-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为30A, 最大反向电压为45V。 其正向压降典型值为0.65V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与续流场景。 共阴极结构便于电路布局, 有助于简化多路输出设计中的连接方式。
RBR30T40ANZC9-HXY特性
暂无产品特性。
RBR30T40ANZC9-HXY应用领域
暂无应用领域。
