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RBR2MM60ATFTR-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

RBR2MM60ATFTR-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)为60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路, 常见于电源适配器、消费类电子设备及高频开关应用中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

185

货期

现货

RBR2MM60ATFTR-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RBR2MM60ATFTR-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)为60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路, 常见于电源适配器、消费类电子设备及高频开关应用中。

RBR2MM60ATFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RBR2MM60ATFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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