RBR2MM60ATFTR-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
RBR2MM60ATFTR-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)为60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路, 常见于电源适配器、消费类电子设备及高频开关应用中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
185
货期
现货
RBR2MM60ATFTR-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RBR2MM60ATFTR-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)为60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向截止特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及保护电路, 常见于电源适配器、消费类电子设备及高频开关应用中。
RBR2MM60ATFTR-HXY特性
暂无产品特性。
RBR2MM60ATFTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
