RBR2MM40ATFTR-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
RBR2MM40ATFTR-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 具备良好的阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、极性保护及高频开关电路等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
160
货期
现货
RBR2MM40ATFTR-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 160 |
RBR2MM40ATFTR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 具备良好的阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、极性保护及高频开关电路等场景。
RBR2MM40ATFTR-HXY特性
暂无产品特性。
RBR2MM40ATFTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
