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RBR2LAM40ATR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RBR2LAM40ATR-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的正向电流能力与40V的反向耐压。 其正向导通压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 表现出良好的阻断性能。 由于具备较低的VF和适中的电压等级, 该器件适用于高频整流、电源管理模块以及各类便携式或空间受限的电子设备中, 能够有效支持高效能电路设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

185

货期

现货

RBR2LAM40ATR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RBR2LAM40ATR-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的正向电流能力与40V的反向耐压。 其正向导通压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 表现出良好的阻断性能。 由于具备较低的VF和适中的电压等级, 该器件适用于高频整流、电源管理模块以及各类便携式或空间受限的电子设备中, 能够有效支持高效能电路设计。

RBR2LAM40ATR-HXY特性

暂无产品特性。

RBR2LAM40ATR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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