RBR2LAM40ATR-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
RBR2LAM40ATR-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的正向电流能力与40V的反向耐压。 其正向导通压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 表现出良好的阻断性能。 由于具备较低的VF和适中的电压等级, 该器件适用于高频整流、电源管理模块以及各类便携式或空间受限的电子设备中, 能够有效支持高效能电路设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
185
货期
现货
RBR2LAM40ATR-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RBR2LAM40ATR-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的正向电流能力与40V的反向耐压。 其正向导通压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 表现出良好的阻断性能。 由于具备较低的VF和适中的电压等级, 该器件适用于高频整流、电源管理模块以及各类便携式或空间受限的电子设备中, 能够有效支持高效能电路设计。
RBR2LAM40ATR-HXY特性
暂无产品特性。
RBR2LAM40ATR-HXY应用领域
暂无应用领域。
