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RBR2LAM40ATFTR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RBR2LAM40ATFTR-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有2A的额定正向电流和40V的最大反向电压。 其正向压降为0.55V, 在导通状态下可有效减少功率损耗; 反向漏电流低至100μA, 有助于提升系统在待机或低功耗模式下的能效表现。 凭借较低的VF与IR参数组合, 该器件适用于电源整流、极性保护、开关电源中的续流路径以及对热管理和效率有较高要求的电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

185

货期

现货

RBR2LAM40ATFTR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RBR2LAM40ATFTR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有2A的额定正向电流和40V的最大反向电压。 其正向压降为0.55V, 在导通状态下可有效减少功率损耗; 反向漏电流低至100μA, 有助于提升系统在待机或低功耗模式下的能效表现。 凭借较低的VF与IR参数组合, 该器件适用于电源整流、极性保护、开关电源中的续流路径以及对热管理和效率有较高要求的电子电路中。

RBR2LAM40ATFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RBR2LAM40ATFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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