RBR2LAM40ATFTR-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
RBR2LAM40ATFTR-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有2A的额定正向电流和40V的最大反向电压。 其正向压降为0.55V, 在导通状态下可有效减少功率损耗; 反向漏电流低至100μA, 有助于提升系统在待机或低功耗模式下的能效表现。 凭借较低的VF与IR参数组合, 该器件适用于电源整流、极性保护、开关电源中的续流路径以及对热管理和效率有较高要求的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
185
货期
现货
RBR2LAM40ATFTR-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RBR2LAM40ATFTR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有2A的额定正向电流和40V的最大反向电压。 其正向压降为0.55V, 在导通状态下可有效减少功率损耗; 反向漏电流低至100μA, 有助于提升系统在待机或低功耗模式下的能效表现。 凭借较低的VF与IR参数组合, 该器件适用于电源整流、极性保护、开关电源中的续流路径以及对热管理和效率有较高要求的电子电路中。
RBR2LAM40ATFTR-HXY特性
暂无产品特性。
RBR2LAM40ATFTR-HXY应用领域
暂无应用领域。
