库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
RBR1MM40ATR-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

RBR1MM40ATR-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 在反向阻断状态下, 漏电流(IR)不超过200μA。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、极性保护、高频开关以及对低损耗和快速响应有要求的电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

140

货期

现货

RBR1MM40ATR-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存140

RBR1MM40ATR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 在反向阻断状态下, 漏电流(IR)不超过200μA。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、极性保护、高频开关以及对低损耗和快速响应有要求的电子电路中。

RBR1MM40ATR-HXY特性

暂无产品特性。

RBR1MM40ATR-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件