RBR1MM40ATR-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
RBR1MM40ATR-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 在反向阻断状态下, 漏电流(IR)不超过200μA。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、极性保护、高频开关以及对低损耗和快速响应有要求的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
140
货期
现货
RBR1MM40ATR-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 140 |
RBR1MM40ATR-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 在反向阻断状态下, 漏电流(IR)不超过200μA。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、极性保护、高频开关以及对低损耗和快速响应有要求的电子电路中。
RBR1MM40ATR-HXY特性
暂无产品特性。
RBR1MM40ATR-HXY应用领域
暂无应用领域。
