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RBR1LAM40ATFTR-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

RBR1LAM40ATFTR-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为500μA, 适用于对能效和热管理有一定要求的电路环境。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 具备良好的瞬态耐受能力。 此类参数组合使其适合用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景, 兼顾效率与可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

185

货期

现货

RBR1LAM40ATFTR-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RBR1LAM40ATFTR-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为500μA, 适用于对能效和热管理有一定要求的电路环境。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 具备良好的瞬态耐受能力。 此类参数组合使其适合用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景, 兼顾效率与可靠性。

RBR1LAM40ATFTR-HXY特性

暂无产品特性。

RBR1LAM40ATFTR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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