RBR1L40ADDTE25-HXY
IC
SMA
可供量大可议
RBR1L40ADDTE25-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流和40V的最大反向电压。 其正向压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为500μA, 在关断状态下维持较低的静态功耗。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对瞬态电流有一定要求的整流、续流或极性保护电路, 常见于开关电源、便携设备及各类电子负载中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
185
货期
现货
RBR1L40ADDTE25-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
RBR1L40ADDTE25-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流和40V的最大反向电压。 其正向压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为500μA, 在关断状态下维持较低的静态功耗。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对瞬态电流有一定要求的整流、续流或极性保护电路, 常见于开关电源、便携设备及各类电子负载中。
RBR1L40ADDTE25-HXY特性
暂无产品特性。
RBR1L40ADDTE25-HXY应用领域
暂无应用领域。
