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RBR1L40ADDTE25-HXY
IC

SMA

可供量大可议

RBR1L40ADDTE25-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流和40V的最大反向电压。 其正向压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为500μA, 在关断状态下维持较低的静态功耗。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对瞬态电流有一定要求的整流、续流或极性保护电路, 常见于开关电源、便携设备及各类电子负载中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

185

货期

现货

RBR1L40ADDTE25-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

RBR1L40ADDTE25-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流和40V的最大反向电压。 其正向压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流为500μA, 在关断状态下维持较低的静态功耗。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对瞬态电流有一定要求的整流、续流或极性保护电路, 常见于开关电源、便携设备及各类电子负载中。

RBR1L40ADDTE25-HXY特性

暂无产品特性。

RBR1L40ADDTE25-HXY应用领域

暂无应用领域。

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