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RBR10T40ANZC9-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

RBR10T40ANZC9-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有10A的额定正向电流和45V的最大反向电压。 其正向压降仅为0.65V, 有助于降低导通损耗并提升系统效率; 反向漏电流为100μA, 在关断状态下维持良好的阻断特性。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源、电源适配器及类似对效率与热性能有要求的电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

48

货期

现货

RBR10T40ANZC9-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存48

RBR10T40ANZC9-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有10A的额定正向电流和45V的最大反向电压。 其正向压降仅为0.65V, 有助于降低导通损耗并提升系统效率; 反向漏电流为100μA, 在关断状态下维持良好的阻断特性。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源、电源适配器及类似对效率与热性能有要求的电子电路中。

RBR10T40ANZC9-HXY特性

暂无产品特性。

RBR10T40ANZC9-HXY应用领域

暂无应用领域。

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