RBR10T40ANZC9-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
RBR10T40ANZC9-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有10A的额定正向电流和45V的最大反向电压。 其正向压降仅为0.65V, 有助于降低导通损耗并提升系统效率; 反向漏电流为100μA, 在关断状态下维持良好的阻断特性。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源、电源适配器及类似对效率与热性能有要求的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
48
货期
现货
RBR10T40ANZC9-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
RBR10T40ANZC9-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有10A的额定正向电流和45V的最大反向电压。 其正向压降仅为0.65V, 有助于降低导通损耗并提升系统效率; 反向漏电流为100μA, 在关断状态下维持良好的阻断特性。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源、电源适配器及类似对效率与热性能有要求的电子电路中。
RBR10T40ANZC9-HXY特性
暂无产品特性。
RBR10T40ANZC9-HXY应用领域
暂无应用领域。
