RBQ10T45ANZC9-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
RBQ10T45ANZC9-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流为10A, 最大反向电压为45V。 其正向压降为0.65V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 具备良好的阻断能力。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要高效整流和快速响应的电源转换、低压输出整流及多路同步续流等电路拓扑中。 共阴极配置便于简化电路布局与连接。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
47
货期
现货
RBQ10T45ANZC9-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 47 |
RBQ10T45ANZC9-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流为10A, 最大反向电压为45V。 其正向压降为0.65V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 具备良好的阻断能力。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要高效整流和快速响应的电源转换、低压输出整流及多路同步续流等电路拓扑中。 共阴极配置便于简化电路布局与连接。
RBQ10T45ANZC9-HXY特性
暂无产品特性。
RBQ10T45ANZC9-HXY应用领域
暂无应用领域。
