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RBQ10T45ANZC9-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

RBQ10T45ANZC9-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流为10A, 最大反向电压为45V。 其正向压降为0.65V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 具备良好的阻断能力。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要高效整流和快速响应的电源转换、低压输出整流及多路同步续流等电路拓扑中。 共阴极配置便于简化电路布局与连接。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

47

货期

现货

RBQ10T45ANZC9-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存47

RBQ10T45ANZC9-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流为10A, 最大反向电压为45V。 其正向压降为0.65V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 具备良好的阻断能力。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于需要高效整流和快速响应的电源转换、低压输出整流及多路同步续流等电路拓扑中。 共阴极配置便于简化电路布局与连接。

RBQ10T45ANZC9-HXY特性

暂无产品特性。

RBQ10T45ANZC9-HXY应用领域

暂无应用领域。

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