RBN40H125S1FPQ-A0#CB0
IC
TO-247A
可供量大可议
RBN40H125S1FPQ-A0#CB0
特性：沟槽栅和薄晶圆技术（G8H系列）。 单封装内集成快速恢复二极管。 低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 1.8V（典型值， IC = 40A， VGE = 15V， Ta = 25℃）。 质量等级：标准。 高速开关。 短路耐受时间：10μs（最小值）。 应用：UPS。 焊接
品牌
RENESAS/IDT
封装
TO-247A
库存
3
货期
现货
RBN40H125S1FPQ-A0#CB0参数
| 封装 | TO-247A |
|---|---|
| 品牌 | RENESAS(瑞萨)/IDT |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 3 |
RBN40H125S1FPQ-A0#CB0概述
特性：沟槽栅和薄晶圆技术（G8H系列）。 单封装内集成快速恢复二极管。 低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 1.8V（典型值， IC = 40A， VGE = 15V， Ta = 25℃）。 质量等级：标准。 高速开关。 短路耐受时间：10μs（最小值）。 应用：UPS。 焊接
RBN40H125S1FPQ-A0#CB0特性
暂无产品特性。
RBN40H125S1FPQ-A0#CB0应用领域
暂无应用领域。