RB751G-40T2R-HXY
IC
SOD-723
可供量大可议
RB751G-40T2R-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.45V, 有助于减少导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为0.5μA, 展现出优异的反向阻断能力。 器件的正向浪涌电流(IFSM)为0.1A, 适用于低功耗、高效率要求的信号整流、电源箝位及高频开关等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-723
库存
150
货期
现货
RB751G-40T2R-HXY参数
| 封装 | SOD-723 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 150 |
RB751G-40T2R-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.45V, 有助于减少导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为0.5μA, 展现出优异的反向阻断能力。 器件的正向浪涌电流(IFSM)为0.1A, 适用于低功耗、高效率要求的信号整流、电源箝位及高频开关等电路场合。
RB751G-40T2R-HXY特性
暂无产品特性。
RB751G-40T2R-HXY应用领域
暂无应用领域。
