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RB751G-40T2R-HXY
IC

SOD-723

可供量大可议

RB751G-40T2R-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.45V, 有助于减少导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为0.5μA, 展现出优异的反向阻断能力。 器件的正向浪涌电流(IFSM)为0.1A, 适用于低功耗、高效率要求的信号整流、电源箝位及高频开关等电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-723

库存

150

货期

现货

RB751G-40T2R-HXY参数

封装SOD-723
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存150

RB751G-40T2R-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.2A的正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.45V, 有助于减少导通损耗; 反向漏电流(IR)仅为0.5μA, 展现出优异的反向阻断能力。 器件的正向浪涌电流(IFSM)为0.1A, 适用于低功耗、高效率要求的信号整流、电源箝位及高频开关等电路场合。

RB751G-40T2R-HXY特性

暂无产品特性。

RB751G-40T2R-HXY应用领域

暂无应用领域。

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