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RB530SM-40FHT2R-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

RB530SM-40FHT2R-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.35A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.6V, 有助于在导通状态维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、信号检波、电源极性保护以及低电压、低功耗电子系统中的续流与箝位等应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

160

货期

现货

RB530SM-40FHT2R-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类肖特基二极管
库存160

RB530SM-40FHT2R-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.35A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.6V, 有助于在导通状态维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、信号检波、电源极性保护以及低电压、低功耗电子系统中的续流与箝位等应用场景。

RB530SM-40FHT2R-HXY特性

暂无产品特性。

RB530SM-40FHT2R-HXY应用领域

暂无应用领域。

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