RB530SM-40FHT2R-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
RB530SM-40FHT2R-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.35A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.6V, 有助于在导通状态维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、信号检波、电源极性保护以及低电压、低功耗电子系统中的续流与箝位等应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
160
货期
现货
RB530SM-40FHT2R-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 160 |
RB530SM-40FHT2R-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有0.35A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.6V, 有助于在导通状态维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达2A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、信号检波、电源极性保护以及低电压、低功耗电子系统中的续流与箝位等应用场景。
RB530SM-40FHT2R-HXY特性
暂无产品特性。
RB530SM-40FHT2R-HXY应用领域
暂无应用领域。
